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UM6030

P/N MOS半桥式三相电源输入输出最底的工作额定电压高达40V兼容3.3V, 5V 和15V插入逻辑关系dv/dt耐受力学习能力可以达到±50 V/nsP/NMOS |VGS| 能达10V內置5V/40mA LDO内嵌过温爱护功能性栅极推动直流电压：5~40V符合标RoSH标：QFN16 内嵌式130ns 死区时间间隔 退订文件传输延长时间Ton=80ns关断无线传输延迟时间Toff =30ns上下侧廷迟切换 欠压设定单向阈值法4.5V欠压自动隐藏负向域值4.3V 拉功率特性：50mA 灌交流电的能力：300mA 工作上温湿度：-40~ 125° C 感应电防范：>2KV（HBM）二极管封装性质：QFN16


共 1 款设备
Part number Pre_driver Vs(V) Voltage (V) Input logic IO+/IO-(A) DT(ns) IBD 5V LDO 12 LDO Channel num Package
UM6030 3P3N 40 5-40 HIN/LIN +0.05A/-0.3A 130 / √ -- 3 QFN16
统计数据参考手册